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文章来源:芯智讯 作者:【*】 点击:次 时间:2018/10/12 12:00:19

紫光国微将DRAM业务2.2亿转让给紫光存储

10月11日晚间,紫光国芯微电子股份有限公司发布公告,将转让公司旗下专注于DRAM存储器芯片设计研发的西安紫光国芯半导体有限公司(以下简称“西安紫光国芯”)给紫光集团下属全资子公司优德w88手机版本紫光存储科技有限公司(以下简称“紫光存储”)。

按照公告的说法,过去几年里,西安紫光国芯为保持和跟进 DRAM 存储器芯片设计领域的先进技术,持续加大产品开发投入,但受下游制造代工产能等方面的限制,短期内无法达到规模经济,经营压力加大,资产负债率不断提高,已影响到其正常持续经营,给上市公司带来了一定的资金和业绩压力,其自身后续的研发投入也面临很大困难。

鉴于上述原因,结合公司间接控股股东紫光集团有限公司(以下简称“紫光集团”)在存储器领域的总体战略布局,为充分发挥西安紫光国芯在存储器芯片设计领域的技术、产品、市场方面的优势和价值,增强存储器方向的协同作用,同时保障其持续发展对资金的需求,公司拟将西安紫光国芯 100%股权以 22,009 万元人民币转让给紫光集团下属全资子公司优德w88手机版本紫光存储科技有限公司(以下简称“紫光存储”)。上述股权转让完成后,公司将不再持有西安紫光国芯股权。

紫光国芯微电子股份有限公司(以下简称“本公司”或“公司”)系 2001 年 8 月 17 日经河北省人民政府以冀股办(2001)88 号文批准,由唐山晶源裕丰电子有限公司整体变更而成的股份有限公司。

公司属于电子元器件制造业,主营业务为集成电路设计、开发、销售与技术服务;高亮度发光二级管(LED)衬底材料开发、生产、销售;生产和销售压电石英晶体器件;经营本公司自产产品和技术的出口业务;经营本公司生产、科研所需的原辅材料、仪器仪表、机器设备、零配件及技术的进口业务(国家限定公司经营和禁止进出口的商品除外);经营进料加工和“三来一补”业务。

公司旗下共有紫光同芯微电子有限公司、深圳市国微电子有限公司、西安紫光国芯半导体有限公司、深圳市紫光同创电子有限公司、 唐山国芯晶源电子有限公司和无锡紫光微电子有限公司等公司。这次出让的西安紫光国芯半导体有限公司则是公司旗下从事DRAM研发的企业。公司主营业务包括存储器设计开发及自有品牌存储器产品的销售,并提供相关集成电路的设计、测试服务,目前的主要产品为 DRAM存储器芯片和模组。

公司今年一月在互动平台上回答投资者问题,针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问回复说:“DDR4与DDR3相比,单条容量有很大提高,可以实现较高的容量。另外,频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压,有利于更低的功耗。

同时,关于公司在国内业界、排名情况,紫光国芯介绍,公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平,国内稀缺,但目前产品产量很小,市场份额不大。”

至于公司的营收水平,根据公告显示,在2017年,紫光国芯收入3.428亿人民币,亏损1200多万。而在今年前七个月,公司营取得了3.273亿元的收入,亏损了接近六百万。

紫光国微的独立董事表示:“公司将全资子公司西安紫光国芯半导体有限公司(以下简称“西安紫光国芯”)100%股权转让给紫光集团下属全资子公司优德w88手机版本紫光存储科技有限公司的关联交易事项,属于公司对现有业务的调整,有利于减轻上市公司资金投入压力,改善财务状况,提升盈利能力,符合公司发展战略;同时,可以保障西安紫光国芯的资金需求,促进其研发项目的顺利推进及业务的健康发展。”

优德w88手机版本紫光存储是紫光旗下专门从事存储业务的企业,这次接受了紫光国芯的DRAM业务,能够集中精力的开拓国内的存储业务。而紫光国微剥离DRAM,也能够更加专注于安全芯片领域。这样对双方都比较有利,能够避免未来可能存在的竞争,战略上能统一到一起。

紫光集团今年内在持续加码存储业务。作为本次资产接盘方,紫光存储去年成立,今年8月份携旗下8个系列的存储产品首次亮相位于美国的2018年闪存峰会。当时,紫光存储CEO任奇伟表示,紫光存储经过短短一年的发展,在客户需求、产品规划、研发、验证、生产等各个方面逐步完善,并成功推出闪存产品。

另外,长江存储8月公开发布了全新3D NAND架构XtackingTM。据介绍,该技术将为3D NAND闪存提高I/O高性能、存储密度,缩短产品上市周期。目前长江存储已将该技术应用于到第二代3D NAND产品的开发,预计2019年进入量产阶段。

但我们也应该看到,无论是对紫光存储还是紫光国芯来说,在DRAM上面的推荐依然严峻。

和NAND Flash一样,国内的DRAM之前也近乎一片空白,目前虽然有合肥长鑫、晋华集成和紫光在这方年投入。但可以看到,三星、美光和海力士已经占据了全球96%的DRAM芯片市场份额。在技术方面,也同样走在前面。

资料显示,以上三家厂商的DRAM已经进入了1X时代。但这些工艺已经推进非常困难。按照DIGITIMES顾问林育中的说法,目前的制程是1y,有EUV的助力,也许可以推进到1z,但是1a呢?很多人持疑。即使可以,也是投资甚巨、所得什微的最后努力。而根据Pacific Crest Securities的资料显示,要实现先进技术的DRAM工艺每月10000wafer的产量,需要投入6亿美元的成本。而同等工艺的NAND只需要4.5亿美元。

再考虑到三星、SK海力士和美光有可能依靠DRAM市场的影响力,对国内厂商围追堵截。再加上技术授权方面的问题,国内的DRAM发展前景严峻。


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